Установка ионно-плазменного напыления МЭШ-60Д
Ионно-плазменное распыление - это процесс распыления мишени, выполненной из требуемого материала, высокоэнергетическими ионами инертных газов. Распыленные ионами атомы материала мишени, осаждаясь на подложке, формируют пленку материала. Ионно-плазменное распыление можно реализовать путем распыления материала катода в плазме газового разряда ионизированными молекулами разряженного газа катодное распыление , либо путем распыления мишени в высоком вакууме сформированным пучком ионов ионное распыление. Распыление ионной бомбардировкой, как и испарение в вакууме, позволяет получать проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые и магнитные пленки, но, по сравнению с термическим вакуумным напылением, имеет ряд преимуществ. Катодное распыление основано на явлении разрушения катода при бомбардировке его ионизированными молекулами разряженного газа.
Тонкие пленки — слой вещества, толщиной от нескольких монослоев до нескольких микрон, представляющий собой термодинамически стабильную или метастабильную часть гетерогенной системы, занимающей промежуточное положение между отдельными молекулами или макромолекулами и объемными компонентами твердого тела. Они играют очень важную роль в современной технике и их значение в научно-техническом прогрессе невероятно велико. Материал и свойства самой поверхности подложки, а также условия формирования вещества на поверхности подложки в значительной степени определяют свойства материалов в тонкопленочном состоянии. Ионно-плазменное напыление — разновидность катодного способа нанесения материала на поверхность изделия. Процесс производится путем бомбардировки подложки ионами плазменного вещества газовым разрядом. Установка ионного травления и ионно—плазменного напыления тонких плёнок компании Проинтек позволяет формировать на подложках тончайшие слои осмия и иридия.
- Технология вакуумного напыления
- Сущность плазменного напыления заключается в том, что в высокотемпературную плазменную струю подаётся распыляемый материал, который нагревается, плавится и в виде двухфазного потока направляется на подложку. При ударе и деформации происходит взаимодействие частиц с поверхностью основы или напыляемым материалом и формирование покрытия.
- Установка предназначена для ионно-плазменного нанесения молибдена на внутренние поверхности деталей тел вращения. Вернуться к: Ионно-плазменное напыление и травление.
- Методы ионно-плазменного напыления — это процесс покрытия, при котором расплавленные или нагретые материалы распыляются на область поверхности. В этом случае сырье нагревается электрическим плазменным или дуговым или химическим воздействием пламя горения.
Установка ионно-плазменного напыления — это полупромышленный комплекс оборудования, созданный для нанесения тонкопленочных оптических покрытий методом ионно-плазменного осаждения. Приобретенная в году, она многократно дорабатывалась инженерами и лаборантами НОЦ, благодаря чему возможности по нанесению различных тонкопленочных покрытий существенно расширились. В общих чертах процесс можно описать как травление мишени ионным пучком и конденсацию стравленного материала на подложке. Сначала плазма формируется из инертного газа внутри газоразрядной камеры источника, затем с помощью магнитного поля и ионной оптики сеток поток положительно заряженных ионов формируется и направляется к мишени, нейтрализуясь проходя через облако электронов, формируемое нейтрализатором из того же газа, который поступает к источнику. Направленный пучок нейтралей выбивает из мишени ионы и небольшие фракции материала, которые затем конденсируются на подложках. К данному процессу можно добавить активный газ, с которым будет связываться материал, выбитый из мишени, формируя тем самым слои определенных соединений например, оксиды и нитриды.
